美國SVT 脈沖激光沉積設(shè)備/PLD應(yīng)用

● 多元素復(fù)合氧化物

● 高溫超導(dǎo)材料

● 磁性材料、金屬材料

● 低蒸汽壓材料

● MEMS

基本系統(tǒng)

腔室及真空泵

12’’ 快速門，250l/s 分子泵，全量程規(guī)

沉積源

靶臺(tái)，6X1’’(25mm) 靶，可以水平旋轉(zhuǎn)，可Z方向移動(dòng)

樣品臺(tái)

1’’(25mm)大小，可加熱至800oC（1000oC可選），可水平旋轉(zhuǎn)，可Z方向移動(dòng)

在線工藝監(jiān)控

石英晶振沉積速率監(jiān)控儀

自動(dòng)化

自動(dòng)化裝置：

控制樣品溫度和旋轉(zhuǎn)

靶臺(tái)的位置控制

靶臺(tái)旋轉(zhuǎn)

氣體控制

速率及厚度計(jì)算（利用QCM輸出）

激光束掃描（可選）

激光束屏蔽控制

自動(dòng)泵抽和充氣

差分泵抽結(jié)構(gòu)

RHEED分析（可選）

裝載室壓強(qiáng)監(jiān)控（可選）

美國SVT 脈沖激光沉積設(shè)備/PLD主要特點(diǎn)
RF射頻等離子源(氧，氮)
升級(jí)高真空
增加進(jìn)樣室
升級(jí)為Laser-MBE （L-MBE）系統(tǒng)
自動(dòng)軟件控制

提供更潔凈的薄膜生長環(huán)境,控制解決方案